温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一条位线经由第一ｐＭＯＳ晶体管连接至设定为预定负电压的第一节点。第一ｐＭＯＳ晶体管的栅极电压设定为略低于第一ｐＭＯＳ晶体管的阈值电压的一恒定电压。在读取操作期间，根据铁电电容器中的残余极化值而从存储单元流入位线的电流总是泄漏入第一节点，增高...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。