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本发明公开了一种双端口ＳＲＡＭ（静态随机存取存储器）单元，它能够同时读写，互不冲突，并且缩减了器件尺寸。为此，双端口ＳＲＡＭ单元包括：写入区，具有一个晶体管，用于根据来自字线的控制信号，输入来自位线的数据输入信号；数据存储区，包括３个晶体管...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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