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测试具有至少两个电阻状态的存储器（１０、６０）。在一种方式中，该存储器包括具有连接到存储单元（１４、６４）的电流电极的第一晶体管（１６、６８）和具有连接到参考存储单元（２８、７４）的电流电极的第二晶体管（２６、６６）。第一晶体管的控制电极根...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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