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本发明要解决的问题是当写入数据比由存储核心一并传送的数据量还少时，不能产生纠错比特。本发明的半导体存储装置，其特征在于，具有从规定比特的数据生成纠错比特的纠错比特生成电路，利用从外部导入的数据和存储在存储单元中的数据，生成上述纠错比特。更详...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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