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一种存储器，它具有邻接半导体结构（１１０５）面对的侧壁的栅结构，包括沟道区（１７２５）以及栅结构与面对的侧壁之间的多个电荷存储位置（１７１３、１７１５、１７０９、１７１１）。沟道区位于在一个实施例中用作源／漏区的二个电流端子区之间。存储单元...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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