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非易失性存储器件和用于操作其页缓冲器的方法技术
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文档序号:3083669
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一种非易失性存储器件包括具有存储单元的存储单元阵列,每个存储单元在字线和位线的交叉点处定义。页缓冲器经由读出线耦接到存储单元阵列。页缓冲器包括具有第一锁存电路并耦接到读出线的第一锁存单元,其被配置为在回拷编程操作期间被激活以读取存储在第一存...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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