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存储器阵列电路制造技术
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文档序号:3083520
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本发明提供一种与用1个存储单元存储2比特数据的非易失性存储元件相对应、并且可进行高速的读出工作的存储器阵列电路。副位线SBL的一端经由漏极选择器DS连接到共用电源CDV上,另一端经由源极选择器SS连接到主位线MBL上。切换对漏极选择器DS的...
该专利属于冲电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。
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