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为了提供一种在常规存取操作期间能够插入刷新操作并且能够设定内部循环时间长于外部循环时间的一半的ＤＲＡＭ，本发明提供一种半导体存储器件及其刷新方法。地址选择器（１８）选择存取行地址信号ＥＲＡ或刷新行地址信号ＲＲＡ。行解码器控制电路（１６）响应...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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