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提供了利用具有弱保持时间的存储单元的方法和电路配置。对于某些实施例，与“正常保持”单元相比，作为具有弱保持单元而被识别的行可能被更频繁地刷新。作为例子，如果正常刷新周期是Ｔ↓［ＲＥＦ］，则弱保持单元在每Ｔ↓［ＲＥＦ］／２或Ｔ↓［ＲＥＦ］／４...
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