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用于利用自旋转移的磁性元件的电流约束传递层和使用该磁性元件的MRAM器件制造技术
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下载用于利用自旋转移的磁性元件的电流约束传递层和使用该磁性元件的MRAM器件的技术资料
文档序号:3083375
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本发明公开了一种提供磁性元件的方法和系统。一方面,磁性元件包括至少一个被钉扎层(110)、自由层(130)、和位于被钉扎层(110)和自由层(130)之间的电流约束层(120)。被钉扎层(110)是铁磁性的并且具有第一磁化。电流约束层(12...
该专利属于弘世科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过弘世科技公司授权不得商用。
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