温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
提供一种包括存储区和电路区的非易失性半导体存储器件。存储区包括多个存储单元和一组阵列基准单元，其中该组阵列基准单元可编程为具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。在电路区中，提供附加的主基准单元，其被配置为也具有对应于存储单元的...该专利属于秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司授权不得商用。