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本发明公开了一种基于1T1R阵列的可重构状态逻辑操作电路及方法，包括1T1R阵列，1T1R阵列设置有多个1T1R单元，每个1T1R单元包括一个NMOS晶体管和一个忆阻器，忆阻器的底端电极与所述NMOS晶体管的漏极相连；位于同一行的1T1R单...
该专利属于西南大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南大学授权不得商用。

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