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本发明提供一种单、双波长可切换的半导体激光器及其制备方法，其中的半导体激光器包括外延结构，在外延结构上沿长度方向刻蚀形成脊波导，在脊波导上刻蚀形成半透半反式光栅，在外延结构上避开半透半反式光栅的位置制备形成P型电极层，P型电极层包括分布于半...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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