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利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法技术
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文档序号:3082476
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本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括:数据储存单元,包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层,其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上,该...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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