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本发明涉及MOSFET领域，公开了一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法，其技术方案要点是在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条组包...
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