一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法技术

本发明专利技术涉及MOSFET领域，公开了一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法，其技术方案要点是在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条组包括至少一个poly条，所述poly条的本体至少包括一段粗条部和一段细条部，同处于一个poly条组中的所有poly条的粗条部之间电连接，所述粗条部与表面金属连接。粗条部与表面金属连接。粗条部与表面金属连接。

【技术实现步骤摘要】
一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法


[0001]本专利技术涉及MOSFET领域，更具体地说，它涉及一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法。

技术介绍

[0002]功率器件在实际应用中经常会遇到EMI问题，通过调整器件栅极电阻（Rg）可有效改善EMI水平，如图3所示；常规做法：1、在栅极外接电阻；2、通过调整器件设计结构来增加栅极电阻（Rg）；对于做法1，在栅极外接电阻的方式，因为电阻的寄生电感问题，会在栅极产生振荡，同时也会增加电路体积；对于做法2，通过调整器件设计结构来增加Rg的方式，常见的调整方法类似专利CN104022093A所提到的，均是通过重新修改1
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2块Mask版，调整Poly或CT打线位置来调整栅极电阻（Rg）；这种做法的缺点有：需要重新制版，增加加工成本；制版后需要重新流片，生产周期很长。
[0003]这两种做法在实际使用时，都存在较大的缺点，实际应用效果差。

技术实现思路

[0004]本专利技术是通过以下技术方案得以实现的：一种栅极电阻可调的MOSFET，在MOSFET的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条组包括至少一个poly条，所述poly条的本体至少包括一段粗条部和一段细条部，同处于一个poly条组中的所有poly条的粗条部之间电连接，所述粗条部与表面金属连接。2.根据权利要求1所述的一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：所述poly条包括两段细条部和三段粗条部，按照粗/细/粗/细/粗的方式排列连接，位于中部的粗条部通过金属孔与表面金属连接，一个位于端部的粗条部与栅极poly引出端相连，另一个位于端部的粗条部与栅极Pad相连。3.根据权利要求1所述的一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：每个poly条组中包含的poly条的数量不等。4.根据权利要求1所述的一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：相邻的poly条组对应的表面金属之间彼此隔离。5.根据权利要求1所述的一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：增加可调电阻结构的电阻值的方法为：在poly条组对应的表面金属上和栅极Pad之间施加正向脉冲电流，烧断细条段。6.根据权利要求1所述的一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：定量增加可调电阻结构的电阻值的方法为：根据poly条组中poly条的数量选定要烧毁断开的poly条组，并在选定的poly条组对应的表面金属和栅极Pad之间施加正向脉冲电流，使得选定的poly条组的细条段被烧毁断开。7.根据权利要求1所述的一种栅极电阻可调的MOSFET，其特征是：所述细条部的横截面的面积为粗条部的横截面的面积的1/8
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1/10。8.一种栅极电阻可调的MOSFET的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加洋，吴磊，胡兴正，薛璐，刘海波，
申请(专利权)人：滁州华瑞微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：