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本发明提供一种半导体集成电路装置，至少包括具有多个存储单元的ＳＲＡＭ存储单元阵列、基板偏置产生单元以及源极偏置产生电路，其中每个存储单元都由包括负载ＭＯＳ晶体管、驱动ＭＯＳ晶体管和转移ＭＯＳ晶体管的电路组成，基板偏置产生电路电连接到负载ＭＯ...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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