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本发明属于相变存储材料技术领域，具体为一种铝掺杂相变存储薄膜材料Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］）↓［１００－ｘ］及其制备方法。通过利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方式制备得到铝掺杂的Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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