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一种带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路，其特征在于：它包括选择性预充电单元、充电补偿单元以及输出驱动单元，所述选择性预充电单元包括预充电管Ｍ↓［ｐ１］和两个或两个以上的位线选择管Ｍ↓［ｎｉ］，充电补偿单元包括充电补偿管Ｍ↓［ｐ２］和第二...
该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。

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