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提供一种非易失性半导体存储装置，在高集成的存储单元阵列中，ｚ在读取、写入和擦除的各动作模式间转移时，抑制因随着位线和字线的电位变化的过渡电流而产生的功耗的增加。具有存储单元阵列（１），其分别在行方向和列方向配置多个两端子的存储单元，该存储单...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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