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非易失性半导体存储器及其读出方法、以及微处理器技术
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文档序号:3081819
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提高读出速度。在由一个单元中具有两个存储区域的存储单元形成的存储单元阵列(1)中,将相对于相邻的两个位线对称的两个存储单元的外侧的存储区域的阈值设定为成对关系。字线选择电路(2)向与作为读出对象的两个存储单元连接的字线施加读出电压。另外,位...
该专利属于富士通微电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。
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