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本发明提供了一种可实现高速写和窗口写的低功耗ＳＲＡＭ电路结构，其特征在于，包括：高速写控制部件，用于锁存写入的数据，使得输入数据由串行转换成并行，实现高速写；ＳＲＡＭ存储单元阵列部件，用来存放数据；行译码部件，用来进行行译码，根据行地址译码...
该专利属于天利半导体(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天利半导体(深圳)有限公司授权不得商用。

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