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本发明提供非易失性半导体存储装置及其存取评价方法。本发明对期待值错误图案，在包含了由于ＥＣＣ的运算产生的纠正延迟的预定定时可靠地进行存取评价。非易失性存储器具有：非同步地读出存储在存储单元阵列（２０）中的数据的读出单元（２５、３０、３２）；...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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