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编程多阶存储单元存储阵列的方法技术
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文档序号:3081216
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本发明公开了一种操作电荷捕捉多阶存储单元存储阵列的方法,包含利用一第一编程机制,编程一第一电荷捕捉位置成为一初步第一阶值,编程一第二电荷捕捉位置成为一初步第二阶值,以及编程一第三电荷捕捉位置成为一最终第三阶值。随后,再利用一第二编程机制,将...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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