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本发明涉及一种等离子体刻蚀终点检测方法，包含以下步骤：先制备金属层上生长一层SiN并带有光刻胶窗口的样品，再将样品固定在离子刻蚀机的腔室内，然后往离子刻蚀机的腔室内通入反应气体CF4，接着打开离子刻蚀机腔室内的上下射频源，使气体离化并在腔室...
该专利属于苏州博研微纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州博研微纳科技有限公司授权不得商用。

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