一种等离子体刻蚀终点检测方法技术

本发明专利技术涉及一种等离子体刻蚀终点检测方法，包含以下步骤：先制备金属层上生长一层SiN并带有光刻胶窗口的样品，再将样品固定在离子刻蚀机的腔室内，然后往离子刻蚀机的腔室内通入反应气体CF4，接着打开离子刻蚀机腔室内的上下射频源，使气体离化并在腔室内磁场下运动，CF4气体的F离子与SiN介质层的Si离子形成Si

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀终点检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体刻蚀领域，特指一种等离子体刻蚀终点检测方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺的发展，一些小窗口的图形和致密性较高的介质层成为主流；目前半导体行业大多数采用计算时间来定义刻蚀凹槽的深度以及形貌，用时间来定义刻蚀的深度、垂直度、底部粗糙度以及线宽具有很大的误差和不可定性，在设备状态不稳定的情况下会出现未刻透、过刻以及刻蚀损伤过大等现象；虽然市场了也出现了终点检测技术，但因为刻蚀前后检测出光强差异较小，无法判断什么情况下是刻蚀后的时间节点，导致终点检测出现误差，出现样品没有刻透或者刻过的情况，从而影响了元器件的整体性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种等离子体刻蚀终点检测方法，利用等离子体中的Si
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F化学基团所发射波长的光强变化，实现终点检测，不仅可以准确达到刻蚀形貌，提高元器件生产效率，还能提高等离子体刻蚀设备的寿命以及设备内的腔室氛围。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀终点检测方法，其特征在于：包含以下步骤：S1:制备金属层上生长一层SiN并带有光刻胶窗口的样品；S2:将样品固定在离子刻蚀机的腔室内；S3:往离子刻蚀机的腔室内通入反应气体CF4；S4:打开离子刻蚀机腔室内的上下射频源，使气体离化并在腔室内磁场下运动，CF4气体的F离子与SiN介质层的Si离子形成Si
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F化学基团；S5:利用Si
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F化学基团所发射波长的光强变化，进行刻蚀终点检测。2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀终点检测方法，其特征在于：步骤S1中，所述样品的制备工艺包括以下步骤：S11:在衬底上溅射一层金属层；S12:在金属层上再生长一层SiN作为保护层；S13:在SiN上进行光刻开出窗口。3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀终点检测方法，其特征在于：步骤S11中，所述金属层为Ti、Au中的一种，其厚度为10nm
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100nm。4.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀终点检测方法，其特征在于：步骤S12中，所述SiN的厚度为150
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250nm。5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀终点检测方法，其特征在于：步骤S2中，所述样品吸附在腔室内的载台上。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，雷中柱，茆健，俞骁，顾婷婷，征真，张丽，
申请(专利权)人：苏州博研微纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：