温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了IGBT的制造方法和IGBT，其中IGBT的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底中制作形成沟槽；在半导体衬底中制作形成载流子存储区，载流子存储区自沟槽的侧壁向衬底单元的内部延伸预设距离；对沟槽的底部进行刻蚀以使沟槽达到预设深度；在...
该专利属于上海贝岭股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海贝岭股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。