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本申请公开了一种JFET器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底；位于衬底上的外延层；位于外延层中的隔离结构、第一类阱、第二类阱、第一类掺杂区域、第二类掺杂区域，第一类掺杂区域位于第二类阱中且第一类掺杂区域靠近第二类阱的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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