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本申请实施例提供一种U型晶体管阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法，其中，U型晶体管阵列包括分别沿第一方向和第二方向排列的多个U型晶体管；其中，每一U型晶体管包括：沟道区；源极，位于沟道区的第一端；漏极，位于沟道区的第二端，其中，第一端...
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