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本实用新型公开了一种半导体探测器，涉及探测器技术领域，包括：半导体晶体和屏蔽体，半导体晶体直径不小于30毫米，半导体晶体厚度不小于15毫米，半导体晶体固定设置于屏蔽体内部，屏蔽体避光，半导体晶体顶面和半导体底面均设置有电极，各电极均用于与电...
该专利属于核工业北京地质研究院所有，仅供学习研究参考，未经过核工业北京地质研究院授权不得商用。

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