一种半导体探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体探测器，涉及探测器技术领域，包括：半导体晶体和屏蔽体，半导体晶体直径不小于30毫米，半导体晶体厚度不小于15毫米，半导体晶体固定设置于屏蔽体内部，屏蔽体避光，半导体晶体顶面和半导体底面均设置有电极，各电极均用于与电极引线电连接，电极不与屏蔽体接触，通过电级对半导体晶体施加高压时，电极能够收集电子与电荷。本实用新型专利技术提供的半导体探测器提高了对γ射线的能量探测范围。能量探测范围。能量探测范围。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体探测器


[0001]本技术涉及探测器
，特别是涉及一种半导体探测器。

技术介绍

[0002]现有的半导体晶体探测器尺寸较小，长、宽均在毫米级别，该尺寸规格的晶体对于较高能量的γ射线探测效率较低，实测1MeV能量左右γ射线通过5
×5×
2.5mm晶体的阻挡率低于20％，在铀资源勘查中要求γ射线能量探测范围为40keV～3000keV，现有小尺寸规格晶体的探测器难以满足γ射线在较高能量范围时的应用需求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种半导体探测器，以解决上述现有技术存在的问题，提高了对γ射线的能量探测范围。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0005]本技术提供一种半导体探测器，包括：半导体晶体和屏蔽体，所述半导体晶体直径不小于30毫米，所述半导体晶体厚度不小于15毫米，所述半导体晶体固定设置于所述屏蔽体内部，所述屏蔽体避光，所述半导体晶体顶面和所述半导体底面均设置有电极，各所述电极均用于与电极引线电连接，所述电极不与所述屏蔽体接触，通过所述电级对所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体探测器，其特征在于：包括：半导体晶体和屏蔽体，所述半导体晶体直径不小于30毫米，所述半导体晶体厚度不小于15毫米，所述半导体晶体固定设置于所述屏蔽体内部，所述屏蔽体避光，所述半导体晶体顶面和所述半导体底面均设置有电极，各所述电极均用于与电极引线电连接，所述电极不与所述屏蔽体接触，通过所述电极对所述半导体晶体施加高压时，所述电极能够收集电子与电荷。2.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于：所述屏蔽体包括顶盖、侧屏蔽体和底座，所述半导体晶体固定设置于所述侧屏蔽体内部，所述侧屏蔽体两端开口分别为第一开口和第二开口，所述顶盖与所述第一开口固定连接，所述底座与所述第二开口固定连接并封闭所述第二开口，所述顶盖上开设有通孔，所述通孔用于通过所述电极引线，所述顶盖与所述半导体晶体靠近所述顶盖一侧的所述电极间设置有若干个第一绝缘垫块，所述底座与所述半导体晶体靠近所述底座一侧的所述电极间设置有若干个第二绝缘垫块。3.根据权利要求2所述的半导体探测器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯延强，
申请(专利权)人：核工业北京地质研究院，
类型：新型
国别省市：