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本发明公开一种形成钨接触插塞的方法,包括:提供一基底,其上具有一导体和一介电层;在所述介电层中形成一接触孔以至少部分地暴露所述导体;在所述接触孔的内表面上形成一阻障层;进行一原子层沉积(ALD)制作工艺,以在所述阻障层上沉积一钨晶种层;以及...该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种形成钨接触插塞的方法,包括:提供一基底,其上具有一导体和一介电层;在所述介电层中形成一接触孔以至少部分地暴露所述导体;在所述接触孔的内表面上形成一阻障层;进行一原子层沉积(ALD)制作工艺,以在所述阻障层上沉积一钨晶种层;以及...