形成钨接触插塞的方法技术

本发明专利技术公开一种形成钨接触插塞的方法，包括：提供一基底，其上具有一导体和一介电层；在所述介电层中形成一接触孔以至少部分地暴露所述导体；在所述接触孔的内表面上形成一阻障层；进行一原子层沉积(ALD)制作工艺，以在所述阻障层上沉积一钨晶种层；以及沉积一钨体层，以填充所述接触孔，形成所述钨接触插塞。形成所述钨接触插塞。形成所述钨接触插塞。

【技术实现步骤摘要】
形成钨接触插塞的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种形成钨接触插塞的方法。

技术介绍

[0002]已知，钨接触插塞经常应用于半导体前段制作工艺，主要是用来将位于半导体基底的导体区域，例如，晶体管的源极或漏极区域，电连接到集成电路的内连线结构。随着半导体元件尺寸的微缩，钨接触插塞必须要达到非常低的阻值，以符合越来越严格的电性要求。
[0003]目前的钨接触插塞的制作方法主要是先在介电层中形成一接触洞，然后进行一化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)制作工艺，在接触洞内沉积一阻障层，例如，氮化钛。接着，进行钨金属CVD制作工艺，将接触洞填满钨金属层，最后进行化学机械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)制作工艺，将接触洞外的多余钨金属层研磨掉。
[0004]上述钨金属CVD制作工艺基本上包括四个步骤：(1)预热晶片；(2)以硅甲烷(SiH4)浸泡(Soak)；(3)成核(Nucleation)，使硅甲烷(SiH4)和低流量六氟化钨反应形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成钨接触插塞的方法，包括：提供基底，其上具有导体和介电层；在所述介电层中形成一接触孔以至少部分地暴露所述导体；在所述接触孔的内表面上形成阻障层；进行原子层沉积(ALD)制作工艺，以在所述阻障层上沉积钨晶种层；以及沉积钨体层，以填充所述接触孔，形成所述钨接触插塞。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导体包括硅化物层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述硅化物层包括硅化钴层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接触孔的内表面上形成所述阻障层的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：施晓东，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：