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本发明公开了一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺,具体包括以下步骤:A:苯基乙烯基硅树脂合成:B:苯基含氢硅树脂合成;C:硼硅树脂复合材料制备:D:固化催化剂加入;E:浇注成型。该材料具有耐高温长寿命,可满足第三代核电站AP1000...该专利属于中国工程物理研究院化工材料研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院化工材料研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺,具体包括以下步骤:A:苯基乙烯基硅树脂合成:B:苯基含氢硅树脂合成;C:硼硅树脂复合材料制备:D:固化催化剂加入;E:浇注成型。该材料具有耐高温长寿命,可满足第三代核电站AP1000...