一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺，具体包括以下步骤：A：苯基乙烯基硅树脂合成：B：苯基含氢硅树脂合成；C：硼硅树脂复合材料制备：D：固化催化剂加入；E：浇注成型。该材料具有耐高温长寿命，可满足第三代核电站AP1000和CAP1400压力容器堆腔中子屏蔽材料要求。中子屏蔽材料要求。

【技术实现步骤摘要】
一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺


[0001]本专利技术涉及耐高温材料
，具体涉及一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺。

技术介绍

[0002]随着AP1000及CAP1400在核电领域里应用，第三代核电站以聚合物材料作为中子屏蔽材料，以降低安全壳厂房放射性。因此，研制耐高温长寿命中子屏蔽材料是三代核电站项目的技术创新也是急需的技术研究方案。用于压力容器堆腔中子屏蔽材料长期经受较高的温度和高剂量的辐照，聚合物材料在这样的环境下，较为敏感，容易老化，且这些材料又很难更换，这就要求在60年设计寿期内，材料具有非常优异的可靠性，确保其老化后仍满足中子屏蔽设计要求。目前国际上采常用的硼硅树脂材料仅能耐温204℃，无法满足堆腔上部区域等较高温度的应用环境。因此，急需开展耐高温长寿命硼硅树脂材料，以满足国产第三代核电站中子屏蔽需求。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料及制备工艺，该材料可以满足第三代核电站中子屏蔽需求。
[0004]为了达到上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：A：苯基乙烯基硅树脂合成：将苯基硅烷、甲基硅烷、乙烯基硅氧烷加入反应容器中，并加入水、乙醇、环已烷及有机酸催化剂，升温并反应，分离出有机层，水洗至中性，得粘度为1500～8500mPa
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s苯基乙烯基硅树脂；B:苯基含氢硅树脂合成：将苯基硅烷、甲基硅烷、氢基硅氧烷加入反应容器中，并加入水、乙醇、环已烷及有机酸催化剂，升温并反应，分离出有机层，水洗至中性，得粘度为1200～8500mPa
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s苯基含氢硅树脂；C:硼硅树脂复合材料制备：称取苯基乙烯基硅树脂和苯基含氢硅树脂合成的基体材料，并加入碳化硼、无机氢氧化物粉体，在真空条件下进行高剪切混合；D：有机硅铂催化剂加入：在步骤C得到的混合物中加有机硅铂催化剂，真空条件下搅拌；E：硼硅树脂浇注与固化：将步骤D得到的产物浇注模具内，放置于室温环境中固化成硼硅树脂复合材料。2.根据权利要求1所述的可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料的制备工艺，其特征在于，步骤A中各原料重量比为：100:10:0.5:30:45:60:1～100:50:30:40:50:80:5，步骤A中升温到60～120℃反应6～10小时。3.根据权利要求1所述的可浇注耐温含硼中子屏蔽吸收材料的制备工艺，其特征在于，步骤B中各原料重量比为：100:10:0.5:30:...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓志华，邓建国，纪兰香，白小峰，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院化工材料研究所，
类型：发明
国别省市：