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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体测试结构及其制造方法、测试方法。半导体测试结构包括基底，包括半导体衬底以及介质层，所述基底内具有至少两个间隔设置的通孔；硅通孔结构，形成于所述通孔内；至少两个焊盘，分别位于所述硅通孔结构上，所述焊盘...该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））授权不得商用。