温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种降低浅沟槽隔离的高度差的制作方法，其包含提供一基底包含一周边电路区，周边电路区包含一P型晶体管区和一N型晶体管区，一第一浅沟槽隔离和一第三浅沟槽隔离分别位N型晶体管区和P型晶体管区，然后形成一第一掩模覆盖N型晶体管区，之后以第...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。