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本发明公开一种制作半导体元件的方法。提供半导体基板，具有NMOS区域、PMOS区域和非硅化金属区域。分别于NMOS区域和PMOS区域内形成NMOS晶体管和PMOS晶体管。形成应力记忆层，覆盖NMOS区域、PMOS区域和非硅化金属区域。将应力...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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