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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为先形成一栅极结构于基底上，然后形成一间隙壁于栅极结构旁，形成凹槽于间隙壁旁，修整部分间隙壁，再形成一外延层于凹槽内。半导体元件又包含第一突起部设于外延层一侧以及第二突起部设于...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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