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用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿制造技术
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下载用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿的技术资料
文档序号:3055365
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一种制造磁记录介质的方法,包括步骤:由溅射靶在衬底上反应性或非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层。溅射靶包括:钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的第一金属氧化物以及非反应性溅射时的第二金属氧化物。第一数据存储薄膜层包括钴(Co)...
该专利属于黑罗伊斯有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过黑罗伊斯有限公司授权不得商用。
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