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本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜、氮...
该专利属于荣昌化学制品株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过荣昌化学制品株式会社授权不得商用。

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