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本发明公开了一种超快斜坡扫描脉冲产生电路及产生方法，该方法包括：当第一MOSFET开关管Q1导通时，压控电流源VCCS对偏转板的等效电容C1进行充、放电，获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲；通过调节恒流源的充电电流大小，对具有快速前、后沿的...
该专利属于西安中科英威特光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安中科英威特光电技术有限公司授权不得商用。

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