【技术实现步骤摘要】
一种超快斜坡扫描脉冲产生电路及产生方法
[0001]本专利技术涉及超快斜坡电脉冲产生
,更具体的涉及一种新型超快斜坡扫描脉冲电路、及超快斜坡扫描脉冲产生方法和斜率调整控制方法。
技术介绍
[0002]超快现象(持续时间小于1μs)广泛地出现在自然或科学技术研究中。例如,植物的光合作用过程、超大规模集成电路所产生的电脉冲、半导体材料载流子寿命、激光材料中的超快光激发态驰豫过程、化学反应的分子动力学过程、生物材料荧光发射、激光器产生的超短激光脉冲其持续时间、强光与物质相互作用物理过程等多在皮秒至飞秒量级,甚至于阿秒量级范围内。因此超快现象研究对自然科学、能源、材料、生物、光物理、光化学、激光技术、强光物理、高能物理等研究及
具有重要意义。
[0003]条纹相机能够同时提供超快过程的一维空间(或光谱)、一维强度和一维时间共三维超快信息。条纹相机作为目前唯一的高时空分辨率的超快现象线性诊断工具,在时间分辨的超快现象研究中发挥着难以替代的作用,是实现微观和超快过程探测的必要手段。条纹相机主要由输入光学系统、条纹变像 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超快斜坡扫描脉冲产生电路,其特征在于,所述超快斜坡扫描脉冲产生电路包括于条纹相机的扫描模块中;所述超快斜坡扫描脉冲产生电路,包括:充电电路和放电电路;所述充电电路包括:第一MOSFET开关管Q1与压控电流源VCCS串联接地,第一MOSFET开关管Q1与压控电流源VCCS组成的串联电路分别与第二MOSFET开关管Q2并联接地,与依次串联的电阻R1、电感L1、偏转板的等效电容C1组成的串联电路并联接地;所述放电电路包括:第三MOSFET开关管Q3与恒流源串联接地,第三MOSFET开关管Q3与恒流源组成的串联电路分别与第二MOSFET开关管Q2并联接地,与依次串联的电阻R1、电感L1、偏转板的等效电容C1组成的串联电路并联接地;当第一MOSFET开关管Q1导通时,压控电流源VCCS对偏转板的等效电容C1进行充、放电,获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲。2.如权利要求1所述的超快斜坡扫描脉冲产生电路,其特征在于,所述超快斜坡扫描脉冲产生电路,还包括:通过调节恒流源的充电电流大小,对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。3.如权利要求2所述的超快斜坡扫描脉冲产生电路,其特征在于,调节恒流源的充电电流大小的方式,包括以下方式中的任一种:通过改变压控电流源VCCS的电压,调节恒流源的充电电流大小;通过改变压控电流源VCCS的频率,调节恒流源的充电电流大小;通过改变压控电流源VCCS的占空比,调节恒流源的充电电流大...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢裕,刘震,马梦园,郭常福,王磊,汪文军,
申请(专利权)人:西安中科英威特光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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