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本发明公开了一种铜CMP的工艺控制方法，包括：步骤一、对第一介质层进行刻蚀形成沟槽；步骤二、测量位于沟槽底部的第一介质层的剩余厚度；步骤三、形成铜层将沟槽完全填充并延伸到沟槽外的第一介质层的表面；步骤四、进行铜CMP将沟槽外的铜层去除并由填...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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