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包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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