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本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将提高发光效率的紫外发光二极管芯片中与p型GaN欧姆接触层相接触的，p型氮化镓材料、氧化钼材料与Al金属材料之间可具有较好的粘附性；氧化钼的功函数与p型氮...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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