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本发明提供一种实现数据输出的高速化并且对锁存电路的重置进行补偿的半导体装置及读出方法。本发明的NAND型闪速存储器的读出方法包括：预充电步骤，经由读出节点(SNS)对位线及连接于所述位线的NAND串进行预充电；重置步骤，在预充电后对锁存电路...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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