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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、位于基底上的刻蚀停止材料层、位于刻蚀停止材料层上的第一抗刻蚀材料层以及位于第一抗刻蚀材料层上的掺杂层；以掺杂层为掩膜，刻蚀第一抗刻蚀材料层，形成第一抗刻蚀层；以第一抗刻蚀层为掩膜刻蚀刻蚀停...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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