温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一导电层；在所述第一导电层上形成介质层，所述介质层内具有开口，且所述开口暴露出所述第一导电层表面；在所述开口内形成第二导电层，所述第二导电层顶部表面齐平或者低于所述介质层顶部表面；在所述开口侧...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。