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本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，制备方法包括：提供第一导电类型的半导体衬底；形成第一导电类型的外延结构，包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；形成沟槽结构；形成第二导电类型的柱结构。本发明在制备外延结构的过程中，制备...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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